Останнім часом увага в дослідженнях приділяється розробці датчиків на основі ISFET для майбутніх біомедичних, екологічних і харчових додатків з використанням особливих сенсорів смаку на основі іонно-чутливого польового транзистора (технологія ISFET). Це призвело до появи різних конструкцій датчиків, які викликають підвищений інтерес з боку дослідницького співтовариства. У роботі запропоновано послабити концепцію ISFET, відкинувши перехід в конструкції, пропонуючи таким чином нову безперехідну структуру датчика на основі JL ISFET, засновану на стратегії профілю легування за кривою Гауса. Числово проаналізовано електричні параметри та характеристики запропонованого pH датчика і повідомлено про властивості його чутливості. У даному контексті розглянуто вплив модифікованого профілю легування каналу за кривою Гауса на варіацію таких параметрів, як енергоспоживання, термічна стабільність, струм витоку та чутливість. Запропонована конструкція також демонструє посилений зсув порогової напруги із зміною pH розчину, що призводить до поліпшення електричних параметрів та характеристик чутливості. Результати продемонстрували, що запропонована конструкція забезпечує перспективні шляхи для підвищення характеристик датчиків на основі ISFET у порівнянні зі звичайними аналогами датчиків на основі FET, де зареєстрована чутливість досягає 66,3 мВ/pH. Крім того, одержані результати чітко показують відмінну модуляцію pH провідності каналу. Отже, запропонована структура демонструє ефективність використання легування за кривою Гауса в конструкції JL ISFET як потенційного кандидата для високоефективних додатків та додатків з наднизькими потужностями на основі польових транзисторів, що продемонстровано пропорційним вдосконаленням як електричних характеристик пристрою, так і чутливості датчика.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"