РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000786670<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Григор'єв М. М. 
Академік О. Г. Гольдман у засланні. Тривалий і важкий шлях повернення в Україну (огляд. Ч. II) / М. М. Григор'єв, М. Ю. Кравецький, І. М. Матіюк, В. Ф. Онищенко, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2020. - Вип. 55. - С. 9-57. - Бібліогр.: 94 назв. - укp.

Систематизовано та проаналізовано наукові публікації з фізики і техніки напівпровідників учнів школи акад. О. Г. Гольдмана з Інституту фізики АН УРСР за 1938 - 1940 рр. Показано, що основні напрями досліджень в цій галузі виконувались за планами, узгодженими з акад. О. Г. Гольдманом до його арешту в 1938 р. Найбільш важливих результатів за цей час було досягнуто в розробці та дослідженні властивостей нових вентильних напівпровідникових фотоелементів на основі сполуки Ag2S, чутливих до ближнього інфрачервоного випромінювання. На основі аналізу тогочасних оригінальних публікацій стосовно створення нових вентильних фотоелементів в Інституті фізики АН УРСР і нових фотоелементів, створених на основі напівпровідникової сполуки Tl2S у Ленінградському ФТІ, доведено науковий пріоритет українських дослідників у царині розробки та дослідження властивостей фотоелементів не тільки на теренах СРСР, а й у світі. Показано, що у 1938 - 1939 рр. в Інституті фізики АН УРСР було продовжено ініційовані акад. О. Г. Гольдманом фундаментальні дослідження зі з'ясування природи виникнення приконтактної високовольтної поляризації у разі проходження струму за низьких температур в актуальних на той час напівпровідниках Cu2O та Ce, а також стрибка прианодного потенціалу в них. Ці дослідження згодом стали експериментальною основою створення дифузійної теорії випростування у структурах метал - напівпровідник майбутнім академіком АН УРСР С. І. Пекарем в Інституті фізики АН УРСР. Наведено маловідомі факти з відбування О. Г. Гольдманом заслання в Казахстані та про еволюцію відношення до нього бувших колег. З'ясовано основну причину, за якої він не зміг одразу після відбування заслання повернутись на наукову роботу в Інститут фізики АН УРСР.


Індекс рубрикатора НБУВ: В3 е(4УКР) л2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського