Козирєв А. В. Наукові засади термобаричного формування наноструктури матеріалів електротехнічного призначення на основі MgB2 з високим рівнем надпровідних властивостей : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.02.01 / А. В. Козирєв; Національна академія наук України, Інститут надтвердих матеріалів імені В. М. Бакуля. - Київ, 2020. - 36 c. - укp.Присвячено вирішенню актуальної науково-технічної проблеми створення надпровідних матеріалів електротехнічного призначення на основі MgB2, що була успішно вирішена шляхом встановлення закономірностей термобаричного формування надпровідної наноструктури і механізмів піннінгу. Це дало змогу досягти найвищих за відомі з літератури значень надпровідних характеристик і розробити технології виготовлення виробів з властивостями та розмірами, необхідними для ефективного їх застосування у надпровідних електричних машинах, струмообмежувачах та потужних магнітах, що працюють за температур кипіння рідкого водню і неону. Показано, що високий рівень густини критичного струму в MgB2, а також у твердих розчинах MgB2-xOx зі структурою MgB2, досягається за рахунок формування наноструктури з високим вмістом дисперсних включень або наношарів Mg-B-О та вищих боридів магнію за рахунок піннінгу на границях розділу цих фаз. Індекс рубрикатора НБУВ: З232.07 + К391.91
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА445305 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|