Проведено комплексне дослідження застосувань і розробок технологічних рішень щодо формування нанотемплетів для гетероструктур III-нітридів, у тому числі з неполярною кристалографічною орієнтацією, щодо забезпечення малодефектності та можливості одержання наноструктур (наностержнів, квантових точок, тощо) для їх практичної реалізації в оптоелектронних інтегральних схемах. На базі запропонованої математичної моделі процесу зародження дефектів одержано низьку щільність дефектів укладки для епітаксійних гетероструктур нітриду галію неполярної кристалографічної орієнтації на нанотемплетах анодованого оксиду алюмінію на кремнії, порівняну з результатами на основі методів одноступеневого латерального зростання або за допомогою буферних шарів на сапфірі та на карбіді кремнію. Досліджено й розроблено базову нелітографічну технологію передачі малюнку гексагональних нанопір темплету анодованого оксиду алюмінію на маску SiO₂ з можливістю здійснення контролю розмірів і розташування малодефектних неполярних наногетероструктур ІІІ-нітридів (нанодротів, нанокілець і квантових точок) для оптоелектронних інтегральних схем, на що одержано патент на корисну модель. Досліджено та розроблено базову технологію формування малодислокаційних шарів нітриду галію на темплетах нанотекстурованого сапфіру на основі запропонованої математичної моделі і використання пристрою для епітаксійного вирощування гетероструктур, на який одержано патент на корисну модель, що забезпечує в УФ GaN фотодіодах із бар'єром Шоткі крутіший довгохвильовий (375 - 475 нм) край нормованої фоточутливості, зменшуючи її на порядок у цьому діапазоні порівняно з фотодіодами без темплету нанотекстурованого сапфіру, що дозволяє фіксувати таке випромінювання без спеціальних оптичних фільтрів. У плані досліджень нанокарбідних процесів при MOCVD-епітаксії III-нітридів на нанотемплетах сапфіру експериментально визначено термодинамічні параметри (температура, тиск) і прекурсори, при яких реалізується самоформування консолідованих нанокарбідів, інкапсульованих в атомну структуру карбонітриду алюмінію або бору для шарів акумулювання енергії.

• Суховій Ніна Олегівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"