Семків І. В. Структурно-допентна модифікація аргіродиту Ag8SnSe6 для елементів резистивної пам'яті : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / І. В. Семків; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Львів, 2018. - 20 c. - укp.Увагу приділено дослідженню фізичних властивостей полікристалів і тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6, фізико-хімічних основ технології їх одержання та створенню резистивно перемикаючих комірок на їх основі. Оптимізовано фізико-хімічні основи одержання полікристалічного Ag8SnSe6 та розроблено ефективну технологію отримання тонких плівок аргіродиту методом селенізації металічної плівки Ag-Sn. Зазначено, що одержані полікристали та тонкі плівки характеризуються орторомбічною структурою просторової групи Pmn21 з близькими за значенням параметрами кристалічної гратки за даними рентгеноструктурного аналізу. Розраховано зонно-енергетичну структуру аргіродиту Ag8SnSe6 та показано генезис утворення зони провідності та валентної зони. Отримано значення ширини забороненої зони 0,75 еВ у наближенні функціоналу локальної густити та 0,66 еВ у методі проекційно приєднаних хвиль. Проведено теоретико-групову класифікацію фононних мод Ag8SnSe6. Показано активність та частоти коливань у спектрах комбінаційного розсіяння та ІЧ-спектрах. Досліджено спектри КРС, у яких спостерігається один пік, що є комбінацією піків при 119,08; 168,43; 200,05 та 216,73 см-1, які відповідають високосиметричним коливанням симетрії А1 та піків при 150,73 та 212,75 см-1, що відповідають коливним модам B1 та B2 відповідно. У спектрах поглинання в інфрачервоному діапазоні край фундаментального оптичного поглинання знаходиться при 1 512 нм та відповідає міжзонному переходу з енергією 0,82 еВ. Отримано температурну залежність фотолюмінесценції аргіродиту Ag8SnSe6. Спектри характеризуються одним асиметричним піком, який є комбінацією двох рекомбінаційних піків з максимумами за 0,85 та 0,74 еВ. Створено твердотільну електрохімічну комірку на основі тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6 з активним до іонів Аg+ срібним та блокувальним до них графітовим електродами. Виявлено ефект резистивного перемикання. Проведено імпедансні дослідження комірки та моделювання відповідних процесів електричними еквівалентними схемами. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045.2 + В379.2,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА432880 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|