РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000754806<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Вовчук Т. С. 
Альтернативні джерела живлення та їх деградаційна стійкість в умовах надзвичайних ситуацій техногенного характеру / Т. С. Вовчук, Н. В. Дейнеко, О. О. Кірєєв, О. А. Лєвтєров, Р. І. Шевченко // Інженерія природокористування. - 2020. - № 4. - С. 7-13. - Бібліогр.: 24 назв. - укp.

Досліджено актуальну науково-практичну задачу (НПЗ) сфери цивільного захисту, а саме можливість безперебійного функціонування систем аварійної протидії (САПД) в умовах обмеженого електропостачання за рахунок використання альтернативних джерел живлення. В ході рішення поставленої НПЗ проведено аналіз сучасного стану сонячних елементів (СЕ) для використання як резервного електроживлення (РЕЖ) САПД. Встановлено що тонкоплівкові СЕ на основі телуриду кадмію (CdTe) p-типу провідності є перспективними СЕ в умовах наземного застосування. Вони мають найвищий серед одноперехідних фотоелектричних перетворювачів теоретичний ккд - 29 %. Для встановлення тривалості їх використання як РЕЖ САПД проведено аналіз деградаційної стійкості СЕ на основі телуриду кадмію (CdTe) p-типу провідності. Шляхом аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик проаналізовано вихідні та світлові діодні характеристики СЕ на основі CdS/CdTe придатних для використання як джерела електроживлення САПД. Аналіз світлових діодних характеристик досліджуваних СЕ спочатку експлуатації поліпшуються, а після 7 - 8 років погіршуються і повертаються майже до своїх значень у початковому стані. Встановлено, що після 8 років експлуатації величина ккд СЕ SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO практично збігається з вихідним значенням, що свідчить про високу деградаційної стійкість отриманих гетеросистем. Виявлені відмінності у вихідних параметрах і світлових діодних характеристиках СЕ SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO при освітленні з боку скляної підкладки і з боку прозорого тильного електрода, обумовлені впливом тильного діода на ефективність фотоелектричних процесів у базовому шарі.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252 + Ц9-523

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж101173 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського