The shunt current has been investigated in p<^>+-n type InAs diffused photodiodes. The mesastructures were prepared by etching in <$Eroman {Br sub 2 ~-~HBr}> solution and sequentially etched in CP-4 and in a lactic acid based etchants. The surface of mesastructures was passivated in alcohol solution of Na2S. After each chemical treatment, the current-voltage and capacitance-voltage characteristics were measured as functions of bias voltage and temperature. It has been shown that the shunt current contains ohmic and non-ohmic components. The evidences have been obtained that the non-ohmic shunt current originates from the space-charge limited current in the surface inversion layer and the trap-assisted tunneling current in the bulk.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"