Проведено детальне дослідження фотоемісійних властивостей та рельєфу плівки Si - Gd - O з роботою виходу approx 1 еВ після додаткового нанесення на її поверхню моношарового покриття атомів Gd. Встановлено, що фотоелектронні спектри системи Si - Gd - O/Gd за енергії фотонів поблизу порогу фотоефекту є згорткою енергетичного розподілу електронів у забороненій зоні нижче рівня Фермі та енергетичного розподілу можливих для заповнення вільних поверхневих електронних станів, з яких електрони виходять у вакуум. Поверхневі електронні стани, в які потрапляють фотоелектрони перед виходом у вакуум, можуть відігравати роль пасток фотоелектронів, для виходу із яких необхідно прикладати додаткове прискорююче електричне поле.

• Голуб Микола Олексійович (біологічні науки)
• Голуб Марія Олексіївна (економічні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"