Досліджено вплив фізико-технологічних умов осадження плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н методом магнетронного розпилення на їх хімічний склад. Проаналізовано процеси формування морфології та структури ближнього порядку під час осадженя плівок методом магнетронного розпилення. Досліджено вплив умов осадження та подальшої термічної обробки на механічні напруги в шарах плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н осаджених на поверхню кремнієвих пластин. Комплексно проаналізовано фотолюмінесцентні властивості плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н та їх кореляція з хімічним складом, структурою ближнього порядку та густиною парамагнітних центрів. Досліджено механізми окиснення плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н. Вивчено фото- та електролюмінесцентні властивості шарів а-SiO{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н(:Tb) одержаних окисненням плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н(:Tb). Досліджено механізми струмопереносу в структурах Au/а-SiO{\dn\fs8 x}:C:Tb/p-Si/Al.

• Русавський Андрій Вадимович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"