Встановлено технологічні умови електрорідинної епітаксії. Проведено нарощування епітаксійних шарів In{\dn\fs8 4}Se{\dn\fs8 3}, In{\dn\fs8 4}Te{\dn\fs8 3} і CdSb на підкладки з кристалів In{\dn\fs8 4}Se{\dn\fs8 3}, In{\dn\fs8 4}(Se{\dn\fs8 3}){\dn\fs8 1-x}Te{\dn\fs8 3x}, Cd{\dn\fs8 x}Zn{\dn\fs8 1-x}Sb та Ge. Виготовлено фоточутливі елементи. Виміряно їх спектральні характеристики. Здійснено лазерну модифікацію структурно-фазового стану епітаксійних шарів. Досліджено структуру кристалів-підкладок і нарощених на них шарів до та після дії лазера. Одержано методом ВЧ - катодного розпилення нові плівкові гетеропереходи CdSb - In{\dn\fs8 4}Se{\dn\fs8 3}, CdSb - In{\dn\fs8 4}Te{\dn\fs8 3x}. Досліджено їх структуру на мікро- та нанорівні. Вивчено електричні та фотоелектричні властивості. Проведено розрахунки конструкцій інтерференційних мультишарів фільтрів. З'ясовано технологічні режими та встановлено відрізаючі фільтри на кристалах In{\dn\fs8 4}Se{\dn\fs8 3}, In{\dn\fs8 4}(Se{\dn\fs8 3}){\dn\fs8 1-x}Te{\dn\fs8 3x} та CdSb з використанням різних плівкоутворюючих матеріалів. Виміряно оптичні характеристики та параметри фільтрів. Встановлено умови забезпечення їх механічної міцності. Розроблено конструкції фільтрів з двома оптичними каналами.

• Стрєбєжєв Володимир Вікторович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"