Побудовано напівемпіричну модель, яка дозволяє одержати величину ширини забороненої зони, роботи виходу для алмазо- та графітоподібних вуглецевих структур і значення цих параметрів для перехідних структур в умовах пластичної деформації (наявність вакансійних дефектів і домішок, що приводить до зміни гібридизації хімічних зв'язків sp{\up\fs8 3} та sp{\up\fs8 2}). Показано, що теоретичні величини, розраховані таким методом, задовільно описують величину ширини забороненої зони, реконструйовану з експериментальних даних щодо спектральної залежності уявної частини діелектричної проникності. Вперше розглянуто тип пружної деформації, внаслідок дії якої на двошаровий графен відбувається паралельний зсув графенових площин одна щодо одної. За допомогою методу сильного зв'язку показано, що внаслідок таких впливів на структуру двошарового графену з'являється додаткова анізотропія в зонному спектрі в околі точок Дірака. Вперше за допомогою моделі захоплення електронів на інтерфейсні стани графен - сегнетоелектрична кераміка свинець - цирконій - титан (PZT) пояснено експериментальну антигістерезисну залежність опору каналу графену, розміщеного на сегнетоелектричній підкладці. Уперше побудовано кількісну теорію прямого гістерезису опору систем графен - сегнетоелектрик і графен - діелектрик в залежності від напруги на затворі. Теоретично показано, що при розсіянні носіїв у графені на великомасштабних неоднорідностях релаксора PVDF-TrFE зі збільшенням кореляційної довжини, яка описує великомасштабні неоднорідності у релаксорі, питомий опір графену зменшується, і для випадку достатньо однорідного розподілу хімічних домішок і достатньо великих розмірів диполів релаксора може становити 100 Ом і менше.

• Курчак Анатолій Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"