Проведено вимірювання тунельних вольтамперних характеристик (ВАХ) розломних контактів, виготовлених із кристалів <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 O sub {8+ delta}}> кераміки. Показано, що отримані ВАХ мають V-подібну внутрішню щілинну область подібну до тих, які характерні для ВАХ тунельних переходів між d-хвильовими надпровідниками. Отримані ВАХ мають різні форми для різних переходів, але всі вони виявляють розмиті структури типу горбок-ямка поза межами внутрішньої щілинної області. Тунельний струм в ab площині розломних контактів розраховано в моделі неоднорідного d-хвильового надпровідника з частковою діелектризацією поверхні Фермі хвилями зарядової густини (ХЗГ). Проведено усереднення тунельного струму за статистичними розподілами надпровідного та ХЗГ параметрів порядку. Теоретичні результати якісно відтворюють поведінку експериментальних кривих. Зроблено висновок, що спрямованість тунелювання та статистичні розподіли обох параметрів порядку є вирішальними факторами, відповідальними за спостережувані форми ВАХ для розломних контактів, виготовлених із високотемпературних оксидів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"