Виміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) у діапазоні (0,2 - 1,7) x 10<^>-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі <$E lambda~=~532> нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру та володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Левицький Сергій Михайлович (технічні науки)
• Левицький Сергій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"