На одноелектронній моделі сильного зв'язку Ліфшиця досліджено вплив атомів домішки заміщення на енергетичний спектр та електричну провідність графену. Встановлено, що впорядкування атомів домішки призводить до виникнення щілини в енергетичному спектрі електронів, ширина якої залежить від параметра порядку та величини потенціалу розсіяння. Показано, якщо параметр порядку є близьким до свого максимального значення, на кривій енергетичної залежності густини електронних станів на краях енергетичної щілини виникають піки, пов'язані з локалізованими домішковими станами. За електронної концентрації, за якої рівень Фермі попадає в область щілини, електропровідність рівна нулю, відбувається перехід метал - діелектрик. Якщо рівень Фермі попадає в область енергетичної зони, час релаксації електронів і електропровідність прямують до нескінченності у азі прямування параметра порядку до свого максимального значення. Аналітичні розрахунки густини електронних станів та електропровідності графену, виконані в граничному випадку слабкого розсіяння, порівнюються з результатами числових розрахунків для різних потенціалів розсіяння.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"