Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Павелець Сергій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Бобренко Юрій Миколайович (технічні науки)
• Семікіна Тетяна Вікторівна (технічні науки)
• Шереметова Галина Гнатівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"