Venger Ye. Physics and technology of heterosystems with films of germanium and germanium with gallium = Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм / Ye. Venger, O. Kolyadina, V. Holevchuk, L. Matveeva, I. Matiyuk, V. Mitin // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 5. - С. 05029-1-05029-4. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Шляхом термічного осадження у вакуумі на підкладках арсеніду галію одержано тонкі плівки германію і германію з 1,05 % галію. Товщина плівок була 1 мкм, товщина підкладок 300 мкм, швидкість росту плівок була <$E1,75~roman A back 45 up 35 symbol Р>/с. Дослідження проведено за допомогою методів профілографії поверхні плівок, спектроскопії поглинання і електровідбивання світла. У плівках і на межі поділу визначали ширину забороненої зони, параметри уширення спектра, час енергетичної релаксації збуджених світлом носіїв заряду і механічні напруження. Виявлено додаткову межу поділу германій - галій. Напруження розтягу на ній <$E6,8~cdot~10 sup 8> Па було більшими напружень стиснення <$E2,6~cdot~10 sup 8> Па на межі поділу плівка-підкладка. Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022 + К235.230.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|