Шари пористого кремнію було одержано за допомогою методу електрохімічного травлення. Проведено дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрову електронну мікроскопію (РЕМ) та фрактографію було використано для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків залежно від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію у разі збільшення дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <<111>>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що у разі збільшення дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції у разі збільшення інтенсивності гама-випромінювання, що пов'язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони у порівнянні з масивним зразком. Проведено розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар'єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар'єру у всіх випадках мала невелике значення, що пов'язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. У разі збільшення дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору у разі збільшення значення гамма-опромінення.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"