РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000712796<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Ружицкий В. В. 
Развитие гелиевой пористости при отжиге имплантированной гелием стали Х18Н10Т / В. В. Ружицкий, С. А. Карпов, А. С. Кальченко, И. Е. Копанец, Б. С. Сунгуров, Г. Д. Толстолуцкая // East Europ. J. of Physics. - 2018. - № 4. - С. 69-76. - Библиогр.: 12 назв. - рус.

Кинетика процессов развития гелиевой пористости при отжиге нержавеющей стали Х18Н10Т, облученной ионами гелия с энергией 20 кэВ при комнатной температуре для одновременного создания смещающих повреждений на уровне 0,5 - 5 сна и концентрации гелия 1 - 12 ат.%, исследована с помощью методов электронной микроскопии и термодесорбционной спектрометрии. Определены температурные интервалы выхода гелия из стали и их зависимость от дозы облучения. Исследована эволюция микроструктуры стали Х18Н10Т в процессе постимплантационных отжигов в интервале температур от Tкомн до 1420 К. При дозе облучения <$E1~cdot~10 sup 20> м<^>-2 гелиевые пузырьки были обнаружены только после отжига до температуры 890 К, при дозе <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2 пузырьки наблюдались сразу после облучения при Tкомн. В процессе отжига средний диаметр пузырьков изменяется от -1 нм при Tкомн до 10 - 20 нм при Tотж 1420 К. Рассмотрены механизмы роста пузырька либо путем миграции и коалесценции пузырьков, либо по механизму Оствальда - растворение и перезахват. Поскольку каждому из этих механизмов соответствует определенный тренд зависимости размеров и плотностей пузырьков от температуры отжига, построены и проанализированы температурные зависимости средних диаметров и плотностей гелиевых пузырьков для дозы <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2. Экспериментальные данные характеризуются тремя температурными интервалами: 1 - от 300 до 760 К, 2 - от 760 до 1030 К и 3 - от 1030 до 1350 К с явно различающимися трендами. В низкотемпературной области диаметр и плотность пузырьков практически не меняется. При отжиге в области температур от 760 до 1030 К начинается рост их размеров и снижение плотности. Эта тенденция нарастает в области температур 1030 - 1420 К. Выполнена оценка энергии активации процессов, контролирующих механизм роста пузырьков в области температур 1000 - 1420 К. Получено значение -3,7 эВ, которое хорошо коррелирует с теоретически рассчитанной величиной энергии активации процесса диссоциации (<$Eroman {E sub He sup diss }>) по механизму Оствальда.


Індекс рубрикатора НБУВ: К272.204.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського