Викулин И. М. Влияние радиации на термочувствительность полевых транзисторов / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наук. пр. ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 2. - С. 11-17. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж70260 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|