Проведено дослідження прозорих тильних контактів Cu/ITO для сонячних елементів на основі CdTe, призначених для використання в тандемних і двосторонньо чутливих приладових структурах. Створення омічного контакту до базових шарів p-CdTe за умов промислового виробництва не є економічним, оскільки тільки платина має необхідну для формування омічного переходу роботу виходу електронів. Тому традиційно формують тунельні контакти, використовуючи при цьому тонкі плівки, що містять мідь або халькогенід міді. Однак дифузія міді в базовий шар призводить до деградації вихідних параметрів плівкових сонячних елементів на основі CdS/CdTe. Тому умови створення прозорих тильних контактів у разі використання прошарку міді потребують дослідження. Встановлено, що попереднє нанесення нанорозмірного шару міді на поверхню CdTe для формування тильного електрода надає можливість сформувати якісний тунельний контакт. Показано, що отримані приладові структури мають високу деградаційну стійкість. Після 8 років експлуатації величина ккд досліджуваних ФЕП практично збігається з початковим. Дослідження світлових вольтамперних характеристик сонячних елементів SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO за освітлення з обох сторін надало можливість встановити суттєві відмінності у вихідних параметрах і світлових діодних характеристиках у разі освітлення з боку скляної підкладки та прозорого тильного електрода. Встановлені відмінності обумовлені впливом тильного діода на ефективність фотоелектричних процесів в базовому шарі. В досліджуваній структурі реалізується режим зверненого діода^aколи тильний контакт є діод, включений послідовно по відношенню до основного діода, що призводить до низьких значень ефективності за освітлення зі сторони тильного електрода. Отримані результати продемонстрували необхідність у зменшенні товщини базового шару для створення ефективних двосторонньо чутливих елементів.

• Семків Олег Михайлович (1971–) (національна безпека)
• Шевченко Роман Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"