РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000696729<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Tetyorkin V. V. 
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p+-n junctions / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 4. - С. 374-379. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.

The dark current and 1/f noise spectra have been investigated in p<^>+-n InSb junctions. The photodiodes were prepared by Cd diffusion into single crystal substrates. The current-voltage characteristics have been explained within a model of inhomogeneous p-n junction. The junction inhomogeneities are caused by dislocations crossing the depletion region. The correlation between the trap-assisted tunneling current through the local inhomogeneous regions of the junction and 1/f noise has been shown to exist. The fluctuations of the junction resistance have been argued to be responsible for the origin of 1/f noise.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського