Магнитное взаимодействие между контактирующими пленками 3d- и 4f-металлов давно известно как способствующее образованию сложных магнитных структур, перспективных для использования в спинтронике. При замене 4f-металлов на их оксиды, обладающие в основном парамагнитными и диэлектрическими свойствами, открывается возможность создания систем со сложной как магнитной, так и электрической структурами. Это еще больше расширяет область возможного применения таких многослойных пленок. Однако исследование систем (Fe, Co, Ni)/оксид редкоземельного металла пока находится в начальной стадии. Показано, что зависимость гальваномагнитных свойств (магнитосопротивления и намагниченности) от химического состава слоев структуры (Fe, Co, Ni)/оксид редкоземельного металла и напряженности внешнего магнитного поля позволяет сделать вывод о существовании магнитного взаимодействия между 3d- и 4f-электронными оболочками элементов на границе раздела. Максимальное увеличение указанных параметров наблюдается в системе Fe/Dy2O3 в геометрии, когда вектор напряженности магнитного поля параллелен току, текущему через пленку металла.

• Касумов Анатолій Мухтарович (фізико-математичні науки)
• Шаповал Ксенія Олегівна (фізико-математичні науки)
• Лашкарьов Георгій Вадимович (1937–2019) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"