Исследован процесс окисления при высоких температурах (<$E1170~-~1550~symbol Р roman C>) композиционного материала системы ZrB2 - SiC - AlN. Изучена структура и фазовый состав исходной керамики и окисленного слоя. Установлен двухстадийный процесс зарождения оксидного слоя. На низкотемпературной стадии (<$E1170~-~1250~symbol Р roman C>) образуется промежуточный слой на основе ZrB2 с участием твердых растворов системы AlОN - SiC/SiО2. На высокотемпературной стадии (<$E1250~-~1350~symbol Р roman C>) формируется основной защитный слой, состоящий из муллитных твердых растворов xAl2O3 - ySiO2 и колоний кристаллов оксида циркония, которые располагаются по границам зерен муллитной фазы. Образующийся оксидный слой на поверхности является эффективным потенциальным барьером, препятствующим диффузии кислорода в объем образца.

• Григорьєв Олег Миколайович (1944–) (фізико-математичні науки)
• Юречко Дмитро Віталійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"