Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що за магнетронного розпилення зміна густини енергії <$Eepsilon sub roman bi>, що постачається зростаючій плівці бомбардуючими іонами, за рахунок зміни потенціалу зміщення Us, та щільності іонного струму js, призводить до формування плівок дибориду гафнію різного структурного стану від нанокластерного до нанокристалічного із текстурою зростання нормаллю до площини (0,01) та розміром нанокристалітів від 2,3 до 20 нм відповідно.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"