Levchenko I. V. Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH4)2Cr2O7 - HBr - citric acid etching composition = Хіміко-динамічне полірування кристалів InAs, InSb, GaAs та GaSb в травильних розчинах (NH4)2Cr2O7 - HBr - цитратна кислота / I. V. Levchenko, V. M. Tomashyk, I. B. Stratiychuk, G. P. Malanych, A. S. Stanetska, A. A. Korchovyi // Functional Materials. - 2018. - 25, № 1. - С. 165-171. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Досліджено процес хімічного розчинення кристалів InAs, InSb, GaAs та GaSb в травильних розчинах (NH4)2Cr2O7-HBr-C6H8O7. Встановлено залежності швидкості розчинення напівпровідникових матеріалів від складу, швидкості перемішування та температури травника. Визначено лімітуючу стадію процесу розчинення. А також склади поліруючих та не поліруючих розчинів. Запропоновано й оптимізовано склади поліруючих травників та умови хіміко-динамічного полірування кристалів InAs, InSb, GaAs та GaSb. Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.3-2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|