The direct current conductivity of anodic oxide of InSb has been investigated as a function of applied bias and temperature. Proposed in this work is a model of conductivity that includes ohmic, trap-assisted tunneling and Poole - Frenkel conduction processes. Two defect states were found in the energy gap of the anodic oxide, which can be attributed to bulk traps. The asymmetry in the current-voltage characteristics is analyzed in terms of comparative distribution of the applied bias voltage between the anodic oxide and the depletion region in InSb.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бекетов Геннадій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"