Levchenko I. V. Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb = Хімічне полірування InAs, InSb, GaAs та GaSb / I. V. Levchenko, V. M. Tomashyk, I. B. Stratiychuk, G. P. Malanych, A. S. Stanetska, A. A. Korchovyi // Functional Materials. - 2017. - 24, № 4. - С. 654-659. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Досліджено механізм та кінетику процесу хімічного розчинення InAs, InSb, GaAs та GaSb у травильних сумішах (NH4)2Cr2O7 - HBr - C4H6O6. Показано вплив винної кислоти на параметри хіміко-динамічного полірування та морфологію одержаної поверхні кристалів. Застосування травильних розчинів на основі (NH4)2Cr2O7 - HBr - C4H6O6 забезпечує контрольоване зняття тонких приповерхневих шарів та якісне фінішне полірування. Запропоновано й оптимізовано склади поліруючих розчинів і умови хіміко-динамічного полірування кристалів InAs, InSb, GaAs та GaSb. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|