Виміряно нелінійні сприйнятливості третього порядку <$E chi sup (3)> і коефіцієнт нелінійного поглинання в InAs n-типу з різним ступенем легування. Одержані значення <$E chi sup (3)~symbol Ы~10 sup -7> СГСЕ істотно перевищують значення, обчислені на баз моделі, що описує нелінійну сприйнятливість електронів, які знаходяться в непараболічній зоні провідності. Показано, що спостережувана розбіжність усувається, якщо в розрахунку врахувати дисипації енергії електронів. Зростання ефективності за чотирьоххвильовій взаємодії в вузькозонних напівпровідниках обмежується нелінійним поглинанням взаємодіючих хвиль.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"