Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів за допомогою методу іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару залежно від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних дефектів. Наведено результати досліджень впливу відпалу на трансформацію електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик вихідного InSb приладної якості. Запропоновано модель конверсії типу провідності, зумовленої термічним відпалом и-InSb. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InSb фотодіодах, виготовлених за допомогою методу іонної імплантації, та зроблено висновки щодо природи надлишкових струмів.

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"