Шамаев В. В. Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов / В. В. Шамаев, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. - 2017. - 39, № 6. - С. 733-742. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Проанализирована частотная зависимость двузначных вольтамперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и пленкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превосходит период переменного тока. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|