![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000673427<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Tursunov I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors = Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках / I. G. Tursunov // Укр. фіз. журн.. - 2017. - 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Запропоновано методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si: Ni та n-типу Si: Mn за однорідного імпульсного гідростатичного стискування (ОГС). Встановлено, що в p-типу Si: Ni зразках енергія іонізації Ni за ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si: Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|