Виготовлено гетероструктури p-NiO/n-Si за допомогою методу реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-Si. Показано вплив обробки підкладок Si на електричні властивості гетероструктур. Досліджено їх темпові вольтамперні характеристики за кімнатної температури. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямому зміщення є багатоступінчатий тунельний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на межі поділу p-NiO/n-Si і тунелювання, за зворотних зміщень - тунелювання та емісія Френкеля - Пула.

• Пархоменко Григорій Петрович (фізико-математичні науки)
• Солован Михайло Миколайович (1986–) (технічні науки)
• Мар'янчук Павло Дмитрович (1956–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"