В настоящее время понимание структуры границ раздела металл-полупроводник по большей части строится на опытных данных. Это связано с многообразием факторов, влияющих на характер процессов, протекающих на межфазных границах полупроводника и слоя металлизации. Исследована микроэлектронная композиция на основе тройного сплава Ag - Ge - In (75 % Ag, 20 % Ge, 5 % In по весу). Материал подложки - эпитаксиальный монокристаллический n-n<^>+ GaAs (111) В. <$En sub { roman э. сл. } ~=~2~cdot~10 sup 16> см<^>-3, подвижность <$Emu~>>~5000~roman {см sup 2 "/" (B~cdot~с)}>. Установлено влияние предварительного отжига GaAs-пластины на удельное переходное сопротивление исследуемого контакта. Предложена феноменологическая модель формирования омического контакта Ag - Ge - In/n-GaAs (111), которая позволяет установить зависимость между параметрами контакта и режимами термообработки. Установлено, что при взаимодействии пленки тройного сплава с приповерхностным слоем арсенида галлия происходит образование избыточного Ga, который создает с серебром легкоплавкие сплавы и химические соединения, влияющие на величину сопротивления контакта. Термообработка структуры Ag - Ge - In/n-GaAs (111) приводит к взаимодиффузии Ge и Ag в приконтактной области и формированию поликристаллической, многофазной, мелкозернистой и достаточно равномерной пленки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"