Osinsky V. I. Some technology aspects for quantum enestor through AIIIBV multicomponent nanoepitaxy / V. I. Osinsky, I. V. Masol, N. N. Lyahova, N. O. Suhoviy, M. C. Onachenko, A. V. Osinsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 254-258. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.For the first time, it has been considered some quantum enestor technology aspects concerning the integration approach for Si-CMOS and site-controlled InGaN/GaN quantum dots, which provides the possibility to realize single photon sources (SPS)/single photon detector (SPD) for quantum processing based on AmBv direct bandgap multicomponent heterogeneous nanostructures and their light energy storing capability, by an analogy with the photosynthetic process in plants. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|