Наведено результати експериментальних досліджень розподілу зарядів і потенціалів в електростатичній мікроскопії (ЕСМ) з використанням зразків-еталонів з гладким на нанометровому рівні рельєфом поверхні. Одержані різкі границі в рельєфі потенціалу з незмінними амплітудами. Показано, що застосування напівпровідникових структур на основі GaAs з різким p-n переходом для проведення ЕСМ вимірювань дає змогу за допомогою нанолітографа створювати наноструктури. Еталонні зразки з різким p-n переходом можуть застосовуватися для калібрування вимірів в скануючій Кельвін зонд мікроскопії (СКЗМ) при подачі каліброваного зсуву на замикаючий перехід. При цьому для обчислення інструментальної функції СКЗМ досить продиференціювати профіль усередненого й нормалізованого сигналу падіння поверхневого потенціалу.

• Ходаковський Микола Іванович (технічні науки)
• Ларкін Сергій Юрійович (технічні науки)
• Галстян Геворк Гагикович (фізико-математичні науки)
• Бевз Віталій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"