InSb wafers of n-type conductivity were annealed at 300, 370 and <$E400~symbol Р roman C> for 30 min in an open tube system under flowing argon ambient. The conductivity type conversion are revealed for the first time in samples with the electron concentration ~<$E1,0~cdot~10 sup 14 ~roman cm sup -3> for all annealing temperatures. Experimental evidences have been obtained that this phenomenon has a bulk character. In annealed samples the spectral response exhibits pronounced increase in the short-wave region. The effect of annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb has been explained by formation of InSb antisites.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Старий Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Стара Тетяна Русланівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"