Экспериментально исследованы продольное <$E rho sub xx (B,~T)> и холловское <$E rho sub xy (B,~T)> сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8 - 80 K в наноструктурах n-In0,2Ga0,8As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при <$E omega sub c tau~symbol @~1> существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение <$E rho sub xx~symbol Х~|B~-~B sub C |T sup {- kappa}>, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса <$E kappa> зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"