Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Крайовський Володимир Ярославович (технічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"