Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe - n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Кудринський Захар Русланович (фізико-математичні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Ігор Геннадійович (ветеринарні науки)
• Ткачук Ірина Григорівна (економічні науки)
• Ткачук Іван Георгійович (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"