Horichok I. V. Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors = Енергії утворення вакансій у напівпровідниках, одержані напівемпіричними методами / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula, V. V. Prokopiv, M. A. Pylyponiuk // Укр. фіз. журн.. - 2016. - 61, № 11. - С. 997-1012. - Бібліогр.: 75 назв. - англ.Використовуючи розширений метод Хюккеля та методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах A<^>IIB<^>VI, A<^>IIIB<^>V та A<^>IVB<^>VI. Встановлено кореляцію одержаних значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчить про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|