Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000634516<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Sukach A. V. Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 3. - С. 295-298. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have been obtained for the junctions prepared using the two-stage diffusion process. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|