Увагу приділено вирощуванню монокристалів алмазу з напівпровідниковими властивостями. Досліджено закономірності формування необхідного дефектно-домішкового складу монокристалів алмазу типу IIb та одержано зразки, придатні до виготовлення зондів для сканувального тунельного мікроскопу. Розглянуто особливості вирощування кристалів у системах Fe - Co - Zr - B - C і Fe - Al - B - C за температур 1 350 - 1 600 °С і тиску 6,0 - 6,5 ГПа. Виявлено, що із збільшенням кількості кристалів зменшується швидкість росту окремого кристалу. Встановлено вплив умов вирощування на зонально-секторіальну будову кристалів, показано можливість одержання кристалів з розвитком граней форми {111} до 80 % у разі проведення процесу кристалізації в системі Fe - Co - Zr - B - C за температур понад 1 550 °С, а в системі Fe - Al - B - C за температур понад 1 450 °С до 100 %. Показано, що у разі додавання В₄С в кількості 1 ÷ 2,5 % за масою концентрація некомпенсованого бору лінійно змінюється від 35 до 87 ppm та від 10 до 25 ppm для секторів росту {111} та {100} відповідно, а питомий опір для секторів росту {111} таких кристалів зменшується від 3,32 · 10⁵ до 1,65 · 10⁴ Ом · см, що надає можливість застосовувати алмази, об’єм яких сформований сектором росту {111}, для виготовлення зондів сканувальної тунельної мікроскопії. Виготовлено дослідну партію зондів з напівпровідниковим алмазним вістрям у формі піраміди Берковича та проведено їх дослідно-виробничу перевірку.

• Чепугов Олексій Павлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"