Proposed has been the method of formation a thermally stable ohmic contact to the diamond without high-temperature annealing with the resistivity ~50 to <$E80~roman {Ohm~cdot~cm} sup 2> when <$ER sub s ~=~3~cdot~10 sup 7 roman Ohm>/<$B0>. Being based on the analysis of correlation dependence between the resistivity of contact and that of semiconductor for the unannealed sample and the sample after rapid thermal annealing it has been shown that variation of the contact resistance on the plate is related with that of semiconductor and may be caused by inhomogeneity of the dopant distribution.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"