Проведено розрахунки електронного енергетичного спектра 2H-NbSe2 з вакансіями Se за різних концентрацій. Встановлено, що об'єм діркової зони поверхні Фермі має тенденцію зменшуватися зі збільшенням концентрації вакансій. За концентрацій вакансій, які відповідають початку фазового переходу <$E2 roman {H-NbSe sub 2 ~symbol О~4H-NbSe} sub 2>, спостерігається зникнення групи носіїв, тобто відбувається електронний топологічний перехід 2.5 роду.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"