За допомогою методів рентгенофазового та рентгеноструктурного аналізів побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Sm - V - Si за 600 °C у повному концентраційному інтервалі. Тернарні сполуки не утворюються; в рівновазі перебувають бінарні сполуки систем Sm - Si та V - Si, а також реалізується рівновага Sm₅Si₃ - V. На основі сполук SmSi₂ (низькотемпературна модифікація), SmSi, Sm₅Si₄ і Sm₅Si₃ утворюються тверді розчини заміщення до вмісту ванадію 5, 2,5, 5 і 7 % ат. відповідно. Інші сполуки подвійних систем не розчиняють третій компонент. За допомогою методу монокристалу уточнено кристалічні структури сполук: SmSi₂ (високотемпературна модифікація, структура типу α-ThSi ₂, tI12, I4₁/amd, a = 4,0785(15), c = 13,487(9) ангстрем), VSi₂ (CrSi₂, hP9, P6₂22, a = 4,5656(12), c = 6,371(3) ангстрем) і V₅Si₃ (W₅Si₃, tI32, I4/mcm, a = 9,4132(11), c = 4,7250(11) ангстрем).

• Гладишевський Роман Євгенович (1958–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"