In this research, we report on the measurement of the capacitance-voltage (C-V) characteristics Al/ZnO/p-Si/Al Schottky diode at room temperature and in dark condition fabricated by spray pyrolysis process. C-V characteristics, within the range of frequencies 50 kHz - 5 MHz, are investigated and microelectronic parameters are extracted. Donor density and diffusion potential vary with frequency from 15 to 28 10¹⁴ cm^-3, 0,21 to 0,45 V. Besides, the interface state density of Al/ZnO/pSi/Al Schottky is determined and found to be 10¹² (eV x cm²)^-1. Calculated at 1 MHz, the interfacial layer thickness and depletion layer width are of 760 Å and 0,28 mu M.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"