Шункеев К. Ш. Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI-Tl при низкотемпературной деформации / К. Ш. Шункеев, Н. Н. Жантурина, З. К. Аймаганбетова, А. А. Бармина, Л. Н. Мясникова, Ш. Ж. Сагимбаева, Д. М. Сергеев // Физика низ. температур. - 2016. - 42, № 7 (спец. вып.). - С. 738-742. - Библиогр.: 34 назв. - рус.В кристалле KI - Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (<$E pi>-компонент; 3,3 эВ) в зависимости от степени низкотемпературной деформации показывает, что в кристалле KI - Tl (<$E 3~cdot~10 sup -3> моль %) длина свободного пробега экситона до автолокализации соизмерима с межталлиевым расстоянием (20 - 27)a при деформации <$E epsilon~=~2> %, а c ростом степени сжатия <$E epsilon~symbol У~2~-~5> % уменьшается до (27 - 5,35)a. Результаты моделирования на основе континуального приближения показывают, что с ростом температуры и степени низкотемпературной деформации происходит уменьшение высоты потенциального барьера для автолокализации экситона, что согласуется с сокращением длины пробега свободного экситона в кристалле KI - Tl. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3 + В372.314.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|