Генцарь П. О. Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках / П. О. Генцарь, С. М. Левицький // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2016. - 7, № 2. - С. 186-194. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Надано результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за такої лазерної обробки. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si у процесі лазерного опромінення. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 - 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|