За допомогою методів фотоелектронної (<$E h nu~=~1,9~-~10,2> еВ) та оже-електронної спектроскопій досліджено зміни електронних та емісійних властивостей фотокатода на основі багатошарової структури окиснених атомів Gd на підкладці із Si(100) після напилення на його поверхню додаткових шарів атомів Gd і з часом перебування цієї структури в вакуумі. Встановлено, що незважаючи на те, що робота виходу фотокатода на окремих етапах досліджень становила ~ 0,5 еВ, фотоемісія реєструвалась лише для <$E h nu~symbol У~2,8> еВ. Аналіз одержаних результатів досліджень надав можливість запропонувати модель імовірної енергетичної структури фотокатода, яка узгоджується з експериментальними даними. Відповідно до цієї моделі приповерхнева область фотокатода складається із Gd2O3 товщиною ~ 1 нм і шириною забороненої зони ~ 5,3 еВ. Відстань від рівня Фермі до дна зони провідності в об'ємній частині Gd2O3 дорівнює ~ 2,7 еВ. В забороненій зоні нижче рівня Фермі розташовані об'ємні локалізовані стани та заповнені поверхневі стани, зумовлені дефектами структури. На поверхні утворюється складний дипольний шар, відповідальний за зменшення роботи виходу.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"