Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та одержано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та p-типу провідності, а також проведено порівняння з експериментальними даними. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InAs фотодіодах і з'ясовано природу надлишкових струмів. Показано можливість коректного прогнозування спектральної фоточутливості в охолоджуваних InAs фотодіодах та розглянуто перспективи їх застосування.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"